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一、崗位職責
1. 負責氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）兩類寬禁帶半導體器件的核心研發工作，涵蓋器件設計、結構仿真、制程工藝開發，包括硅基氮化鎵器件的專屬結構與工藝流程設計，以及碳化硅功率器件的平臺化設計與優化。
2. 開展兩類器件的全周期測試與應用研究，涉及電性能測試（如參數驗證、高頻/高壓特性測試）、封裝方案開發、可靠性分析（如高溫穩定性、長期使用壽命驗證），并輸出測試報告與工藝數據分析，確保研發流程的可靠性與重復性。
3. 持續推動器件性能迭代與工藝穩定性提升，針對氮化鎵器件的高頻特性、功率密度優化，以及碳化硅器件的高壓耐受、能效提升等核心指標進行攻關，同時分析競品優劣勢，明確產品技術差異化方向。
4. 對接市場與客戶需求，聯合應用工程師梳理器件指標，完成氮化鎵、碳化硅產品的定義與開發規劃，制定清晰的項目進度表，確保按時間節點推進研發工作，并主導新品從研發到量產的轉產落地。
5. 參與氮化鎵、碳化硅器件工藝平臺的搭建與迭代，指導版圖設計團隊完成相關設計工作，協助市場部門開展產品在客戶端的推廣支持，解決客戶應用過程中的技術問題。
二、任職要求
1. 學歷與專業：碩士及以上學歷，電子科學與技術、微電子、電子信息、電磁場與微波技術等相關專業，具備寬禁帶半導體材料（GaN/SiC）研究背景者優先。
2. 技術能力：
- 熟悉氮化鎵（如GaN HEMT）、碳化硅（如SiC MOSFET、SiC SBD）器件的物理結構、工作原理及核心特性，了解功率半導體器件的整體工藝流程、制造工藝及原理；
- 熟練操作半導體測試儀器，包括矢量網絡分析儀、半導體參數分析儀等，掌握功率器件基本電性能測試方法與原理，了解兩類器件的封裝流程及技術要點；
- 具備器件建模能力，熟練掌握GaAs/GaN HEMT器件建模者優先；能使用仿真軟件（如SILVACO、TCAD）及版圖設計軟件進行器件仿真與設計者優先；
- 有氮化鎵或碳化硅器件實際開發、生產經驗，或參與過寬禁帶半導體器件工藝平臺搭建項目者優先。
3. 綜合素養：具備較強的邏輯思維能力、學習能力與問題解決能力，能獨立完成器件參數優化及可靠性提升工作；擁有良好的溝通協調能力，可跨部門協作推進項目，適應研發型工作節奏。